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Inductor de potencia de doble devanado de 12,5 µH
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Inductor de potencia de doble devanado de 12,5 µH

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Atributos del producto

Modelo1028/H80D DRS 10.8X2.85X2.0

Installation MethodSurface Mount

Working Temperature-40℃~+85℃

EncapsulationSOP

Temperature Coefficient25℃

Frequency - Self-resonance1KHz/0.25V

Height - Installation (Max)2.2mm

Inductor12.5uH MIN

Embalaje/CarcasaInductor de montaje en superficie

SizeH80D DRS 10.8X2.85X2.0

Espesor2.0±0.20

Number Of Coils2UEW-φ0.10X1PX26TS

Inductor - Paralelo12.5uH MÍNIMO

Material - Magnetic CoreH80D

Embalaje y entrega

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Descripción

Diseñado para un rendimiento robusto en sistemas de energía industriales y comerciales, este inductor de montaje en superficie ofrece una inductancia mínima alta de 12,5 µH, mantenida incluso en una configuración de devanado paralelo, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren almacenamiento de energía estable y entrega de corriente suave. Con unas dimensiones físicas de 10,8 mm × 2,85 mm × 2,0 mm y una altura máxima de instalación de solo 2,2 mm, ofrece una capacidad inductiva sustancial en un paquete de bajo perfil y que ahorra espacio, adecuado para PCB densamente poblados en fuentes de alimentación de servidores, controladores LED, controladores de motores, inversores de energía renovable y módulos de energía auxiliar para automóviles.

A diferencia de los inductores de señal de alta frecuencia o los dispositivos de choque de modo común centrados en EMI, este componente está diseñado específicamente para la conversión de energía de baja frecuencia, como lo demuestra su frecuencia de autorresonancia de 1 kHz a 0,25 V. Esta característica refleja su optimización para fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) que funcionan en el rango de decenas a cientos de kilohercios, donde una inductancia constante bajo polarización de CC y una pérdida mínima del núcleo son fundamentales. La estructura de doble bobina, enrollada con alambre de cobre esmaltado 2UEW-φ0.10 en una configuración precisa 1P×26TS, garantiza un excelente acoplamiento magnético, un intercambio de corriente equilibrado y un riesgo reducido de saturación durante picos de carga transitorios.

El núcleo magnético está fabricado con material de ferrita H80D, conocido por su alta permeabilidad y rendimiento estable en todo el rango de temperatura industrial de -40 ℃ a +85 ℃. Esta selección de material permite que el inductor mantenga la estabilidad de la inductancia y bajas pérdidas por histéresis incluso bajo estrés térmico prolongado, un desafío común en ambientes cerrados o de alta temperatura ambiente. Encapsulado en una robusta carcasa SOP (paquete de contorno pequeño), el componente admite el ensamblaje SMT automatizado y resiste perfiles de soldadura por reflujo estándar sin degradación, lo que garantiza un alto rendimiento en la producción en masa.

Una tolerancia de espesor de 2,0 ± 0,20 mm garantiza una separación mecánica constante y una formación de juntas de soldadura confiable, lo que reduce los defectos de fabricación comunes, como la inclinación, la mala humectación o las conexiones intermitentes. Si bien no está diseñado para el filtrado de líneas de datos de alta velocidad (una función reservada para unidades de inductor de modo común dedicadas), este inductor desempeña un papel vital entre los componentes electrónicos pasivos al permitir una regulación de voltaje eficiente, supresión de corriente ondulada y control de respuesta transitoria en topologías de convertidores CC-CC y CA-CC.

Los ingenieros de diseño a menudo encuentran problemas como la saturación del inductor, el ruido audible de la bobina o la deriva térmica en etapas de potencia compactas; este componente mitiga dichos riesgos a través de su devanado de alto número de vueltas (26 vueltas por bobina) y su núcleo H80D de alta permeabilidad, que en conjunto mejoran la capacidad de almacenamiento de energía y minimizan las fugas magnéticas. Al implementar este inductor en un diseño, las mejores prácticas incluyen proporcionar un área de cobre adecuada para la disipación de calor, evitar enrutar pistas analógicas sensibles debajo de la pieza y mantener longitudes de pista simétricas para ambos devanados para preservar el equilibrio magnético, especialmente en diseños multifásicos o intercalados.

Su huella alargada (10,8 mm de longitud) permite una mayor longitud de cable e inductancia sin aumentar la altura, lo que la convierte en una solución práctica donde el espacio de la placa permite una longitud moderada pero se aplican restricciones estrictas de altura, como en gabinetes industriales de perfil delgado o conjuntos de PCB apilados. Como parte de una estrategia integral de administración de energía, este inductor complementa otros componentes electrónicos esenciales como capacitores, MOSFET y circuitos integrados de control para brindar energía limpia y regulada con alta eficiencia y confiabilidad a largo plazo.

En resumen, si bien los inductores de uso general pueden ser suficientes para tareas de filtrado básicas, esta unidad de doble devanado de alta inductancia aborda las demandas específicas de la electrónica de potencia moderna que requiere tanto rendimiento como capacidad de fabricación. No es un sustituto de un inductor de modo común en funciones de supresión de EMI, sino más bien un elemento fundamental en los circuitos de almacenamiento y transferencia de energía. Para los diseñadores que buscan componentes pasivos confiables y de alto valor en aplicaciones de energía de grado industrial, este inductor se destaca como una opción técnicamente sólida y lista para producción dentro del panorama en evolución de los componentes electrónicos avanzados.

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