Inicio> Lista de Productos> Inductor> Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH
Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH
Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH
Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH

Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH

Obtener el último precio
Cantidad de pedido mínima:1
Atributos del producto

Modelo3416/H20C I 3.38X1.58X0.70-E

Rated Power200mA

Installation MethodSurface Mount

Tolerance290pF

Working Temperature-40℃~+85℃

EncapsulationSOP

Resistance Error±20%

Temperature Coefficient25℃

Frequency - Self-resonance100KHz/0.1V

Height - Installation (Max)2.2mm

Inductor60uH Min

Embalaje/CarcasaInductor de montaje en superficie

SizeH20C I 3.38X1.58X0.70-E

Espesor2.0±0.20

Inductor - Series60uH Min

Saturation Current - Series240mA

DC Resistor - Series1.7Ω

Material - Magnetic CoreH20C

Rated Current200mA

DC Resistor1.7Ω

Embalaje y entrega

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Descripción

Optimizado para sistemas compactos de suministro de energía, este inductor de montaje en superficie proporciona una inductancia mínima de 60 µH en configuración en serie y, al mismo tiempo, admite una corriente de saturación de 240 mA y una corriente nominal continua de 200 mA, lo que lo hace muy adecuado para reguladores de punto de carga, dispositivos electrónicos portátiles, cargadores móviles, nodos de borde de IoT y otras aplicaciones con limitaciones de espacio donde tanto la eficiencia como el espacio son importantes. Con unas medidas de solo 3,38 mm × 1,58 mm × 0,70 mm y una altura máxima de instalación de 2,2 mm, ofrece un rendimiento sólido en un paquete de perfil ultrabajo que se alinea con las tendencias modernas hacia dispositivos industriales y de consumo más delgados y livianos.

A diferencia de las unidades de inductor de modo común con supresión de EMI o los inductores de RF de alta frecuencia, este componente está diseñado específicamente para el almacenamiento de energía y el filtrado de corriente ondulada en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) de frecuencia baja a media. Su frecuencia autorresonante de 100 kHz a 0,1 V confirma su enfoque de diseño en los rangos operativos típicos de convertidores reductores (100 kHz–2 MHz), donde la inductancia estable bajo polarización de CC es esencial para mantener la regulación de voltaje y minimizar el ruido de salida. El núcleo magnético está construido con material de ferrita H20C, una formulación conocida por su permeabilidad equilibrada, densidad de flujo de saturación moderada y bajas pérdidas en el núcleo en todo el rango de temperatura industrial de -40 ℃ a +85 ℃.

El inductor presenta una resistencia CC en serie de 1,7 Ω (tolerancia de ±20 %), una compensación inherente a su tamaño miniatura y su alto valor de inductancia. Si bien esta resistencia limita las aplicaciones de eficiencia ultraalta, sigue siendo aceptable para etapas de conversión de baja potencia donde la disipación térmica es manejable mediante un vertido adecuado de cobre en la PCB. Los diseñadores deben tener en cuenta este DCR al calcular la pérdida total de energía y la eficiencia, especialmente en sistemas alimentados por baterías donde cada milivatio cuenta. A pesar de sus pequeñas dimensiones, el componente mantiene la integridad mecánica a través de una robusta encapsulación SOP (Small Outline Package), que protege los devanados internos durante los procesos automatizados de selección y colocación y soldadura por reflujo.

Una tolerancia de espesor controlada de 2,0 ± 0,20 mm garantiza una altura de separación constante en todos los ámbitos, lo que reduce los defectos de ensamblaje, como el desprendimiento o la falta de humectación, problemas comunes con los componentes electrónicos pasivos en miniatura. La “tolerancia: 290pF” enumerada probablemente se refiere a capacitancia parásita o entre devanados, un parámetro crítico que influye en la autorresonancia y el comportamiento de alta frecuencia; Los ingenieros que diseñan cerca del límite de resonancia de 100 kHz deben modelar esta capacitancia para evitar cambios de fase inesperados o picos de ganancia en los bucles de control.

Este inductor no está diseñado para el filtrado de ruido de modo común (esa función pertenece a las soluciones dedicadas de inductor de modo común ), sino que sirve como elemento fundamental en topologías monofásicas reductoras o elevadoras que requieren un almacenamiento de energía confiable en un espacio mínimo. Los errores de diseño comunes, como la saturación del inductor bajo cargas transitorias, el chirrido audible de la bobina o la deriva térmica, se mitigan mediante el uso de material H20C estable y una geometría de bobinado precisa, aunque siguen siendo esenciales prácticas de diseño cuidadosas: mantenga las trazas de energía cortas y anchas, evite colocar circuitos analógicos sensibles directamente debajo del componente y garantice rutas de retorno a tierra adecuadas para minimizar el acoplamiento magnético.

Entre la categoría más amplia de componentes electrónicos pasivos, este inductor de 60 µH cierra la brecha entre las bobinas de señal ultraminiatura y las voluminosas bobinas de potencia. Permite a los diseñadores lograr una conversión de energía funcional en dispositivos portátiles, sensores inteligentes y módulos industriales compactos sin recurrir a alternativas más grandes y costosas. Si bien carece de la capacidad actual de los inductores de núcleo de tambor de alta potencia, su combinación de margen de saturación de 240 mA, corriente nominal de 200 mA y altura inferior a 2,2 mm ofrece un equilibrio práctico para aplicaciones de rango medio.

En resumen, este componente ejemplifica la evolución continua del sistema magnético de montaje en superficie: ofrece un rendimiento eléctrico significativo dentro de limitaciones espaciales extremas. Complementa otros componentes electrónicos críticos como MOSFET, diodos y circuitos integrados de control para formar cadenas eléctricas eficientes y confiables en la electrónica de próxima generación. Para los equipos de ingeniería que priorizan la miniaturización sin sacrificar la integridad básica de la energía, este inductor de bajo perfil y alta saturación representa una opción estratégica, distinta tanto de los inductores de uso general como de los dispositivos de choque de modo común especializados, adaptados a las realidades del diseño de sistemas compactos modernos.

Productos
Inicio> Lista de Productos> Inductor> Inductor de potencia SMT de alta saturación de 60 µH
Contal Us
Suscribir
Síguenos

Copyright © 2025 Todos los derechos reservados por Zhejiang Shenghui Technology Co., Ltd..

Realizar consulta
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Enviar